等离子体增强化学气相沉积设备PECVD

等离子体增强化学气相沉积设备PECVD

等离子体增强化学气相沉积设备PECVD

参数表
功能介绍

采用高温放电的方式使气体电离成等离子体反应沉积成膜。可以制备碳化硅/氮化硅/氮氧化硅/氧化铝等多种薄膜。适用于PERC，PERT，TOPCon和BC等电池应用。

参数配置
  • 平均开机率98%
  • 炉管内径430mm/450mm
  • 单管载片量504~768片/管
  • 硅片尺寸可兼容182-230各种硅片尺寸
  • 成膜均匀性片内&片间 ≤4%;批间 ≤3%
  • 恒温区精度350-600°C±1°C
  • 极限真空≤1Pa
技术特点
  • 快速降温系统，提升产出
  • 一拖一推舟结构稳定性好，效率高
  • 热场均匀性好、电场稳定性高
  • 双层水冷法兰提高密封性以及密封圈寿命
  • 维护便利性:石英管、电极快拆便利性
  • 双舟承载，功率更均匀，镀膜更均匀
PECVD均匀性